隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，壓力變送器的傳感器類型也呈現(xiàn)出多元化的發(fā)展。這其中就包括需要復雜MESM技術(shù)才能制作而成的單晶硅式壓力變送器。單晶硅式壓力變送器目前是工業(yè)壓力變送器中高水準的代表，傳感器的芯體一般依賴于進口制造廠商。

       單晶硅從廣義上來劃分其實是一種應變式壓力變送器，只是在傳統(tǒng)應變式壓力變送器的基礎上利用MESM技術(shù)和硅片技術(shù)使其具有更高的測量精度。單晶硅壓力變送器的敏感元件是利用晶元切割和離子注入等技術(shù)，將P型雜質(zhì)擴散到能作為彈性元件的N型硅片上，形成極薄的導電P型層，然后在P極和N極上敷銅制作出引線，形成單晶硅應變片。這其中還需要在N型硅基底上光刻一個全動態(tài)具有壓阻效應的惠斯登電橋。壓阻硅片完成后將其封裝在一個密閉腔體內(nèi)的中心軸上，該軸線兩邊分別布置正腔室和負腔室，當正負腔室壓力發(fā)生變化時，硅膜片一側(cè)壓縮一側(cè)拉伸，使惠斯頓電橋失衡，輸出一個與壓力相對應的電信號。壓力變送器表頭中的電子模塊利用儀表放大器將傳感器的微弱電信號放大，然后送至MCU進行采樣計算，最終利用輸出電路將壓力信號轉(zhuǎn)換成標準的通訊信號。

       單晶硅式壓力變送器因采用的是微電子加工技術(shù)，具有精度高，響應速度快，穩(wěn)定性好等特點，現(xiàn)逐漸被用于工業(yè)用差壓變送器上。